| 題名 | 酸化物超伝導体を用いた超伝導インバータの検討(��) |
| 著者 | *杉本 直哉, 原田 直幸, 諸橋 信一 (山口大学大学院理工学研究科) |
| Page | p. 377 |
| Keyword | 酸化物超伝導体, 超伝導インバータ |
| Abstract | 電力の効率的な利用のため、酸化物超伝導体を送電ケーブルや変圧器、コイルなどへの応用研究が進められている。現在、インバータには、半導体が用いられている。半導体の代わりに超伝導体を用いることで、超伝導送電とともに冷却して使用することができ、効率的な送電ができると考えられる。本研究では、超伝導状態では電気抵抗がゼロとなる超伝導体をインバータの素子として用いるため、焼結法によりBi系2223超伝導バルク体を作製し、バルク体の臨界電流を測定した。このバルク体をインバータの素子として用いた場合の動作について検討を行った。 |
| 題名 | 液相-気相ハイブリッド成長法による高温超電導体の高効率作製 |
| 著者 | *前田 果澄, 上本 光太, 田中 博美 (米子工業高等専門学校 電気情報工学科) |
| Page | p. 378 |
| Keyword | Bi系高温超電導体, ウィスカー, 液相-気相ハイブリッド成長, 粒径依存性 |
| Abstract | 本研究では，Bi系高温超電導ウィスカー(以後，Bi系ウィスカー)において問題であった，結晶サイズの改善を行った。最近の研究でBi系ウィスカーの育成において，従来の育成法である液相成長に加え，気相成長を取り入れたGOD(Grinded Powder Deposition)法が考案された。このGOD法では，母材を粉砕することによって母材の表面積を増加させる。これに伴い蒸気圧が増加し，気相成長が促進される。この結果は母材サイズと蒸気圧に強い相関関係があることを示している。そこで本研究では，GOD法において母材の粒径を系統的に変化させ，蒸気圧の制御を行った。その結果，GOD法における母材サイズの最適値は，0.5mm×0.5mmであることが分かった。 |
| 題名 | 電力ケーブル用XLPEの空間電荷分布測定 |
| 著者 | *福間 眞澄, 富田 大貴 (松江工業高等専門学校) |
| Page | p. 379 |
| Keyword | 電力ケーブル, 絶縁材料, 架橋ポリエチレン, 空間電荷, パルス静電応力法 |
| Abstract | 電力ケーブルの絶縁材料である架橋ポリエチレン（XLPE）の空間電荷分布測定にはパルス静電応力（PEA）法が広く用いられている。平板電極を用いたCVケーブルの測定結果としては，厚い試料で10ｍｍ程度の測定結果が報告されている(1)。しかし，500kV級の電力ケーブルでは絶縁材料の厚さは27mmにもなる。そこで，本研究では，PEA法を用いて27mm厚さのXLPEでの空間電荷分布測定を行うための装置と減衰補正を伴う信号処理技術(2,3)の開発を目指し，装置の試作を行っている。 |
| 題名 | 高分子内部に配置された電極周辺の電荷分布測定 |
| 著者 | *日野 絢斗, 福間 眞澄 (松江工業高等専門学校) |
| Page | p. 380 |
| Keyword | 空間電荷分布, 絶縁材料, 三次元, 電極近傍, 高分子 |
| Abstract | 空間電荷分布測定は，電力機器や電力ケーブルなどの絶縁材料の評価や材料開発などに広く用いられている。これまで音響レンズを利用した三次元空間電荷分布測定装置(1)の研究開発が前野氏によりなされてきた。この装置は試料の断面ごとの電荷分布が測定可能である。高分子により絶縁ざれた電気機器の電極近傍の空間電荷分布測定に応用するために測定装置を試作した。ここではシリコン系高分子の内部の電極近傍の空間電荷分布測定を行ったので報告する。 |
| 題名 | GaAs基板上へのGe1-xMnxTe成長におけるバッファー層の効果 |
| 著者 | *西村 謙佑, 河野 有輝, 植田 義幸, 浅田 裕法, 岸本 堅剛, 小柳 剛 (山口大学) |
| Page | p. 381 |
| Keyword | 強磁性半導体, GeMnTe, MBE法 |
| Abstract | 本研究では、MBE法を用いてキャリア誘起強磁性を示す希薄磁性半導体Ge1-xMnxTeの成長及びデバイス応用に関する研究を行っている。今回GaAs基板上へのGeMnTeのエピタキシャル成長を目的としてバッファー層の検討を行った。ZnTeをバッファー層としたZnTe/GeMnTe積層膜においてRHEEDパターンではストリークを示した。また、X線回折では基板方向のピークのみ観測され、エピタキシャル成長膜を作ることができた。また、ホール測定によるアロット・プロットより算出したキュリー温度はGeMnTe単層膜では50 Kであったのに対し、70 Kとなりバッファー層を用いることでキュリー温度が向上するとこがわかった。 |