| 題名 | Siイオン注入によりアモルファス化したMOSダイオードのストレスによる特性変化 |
| 著者 | *荒木 総一郎 (福山大学大学院工学研究科), 三宅 雅保 (福山大学工学部) |
| Page | p. 368 |
| Keyword | MOSダイオード, アモルファス化, C-V特性, 特性変化 |
| Abstract | 浅いチャネルドープ層形成に応用することを目的に，Siイオン注入によりアモルファス化したMOSダイオードの，電流ストレスによる，C-V特性，I-V特性の変化を調べた．その結果，I-V特性の変動はアモルファス化したMOSダイオードの方が大幅に小さく，C-V特性の変動はアモルファス化したものの方が大きいことがわかった．これらの結果から，酸化膜中の負電荷発生はアモルファス化したものの方が大幅に小さく，界面での正電荷発生もアモルファス化したものの方が小さいことを明らかにした． |
| 題名 | Bi系高温超電導体における元素置換効果 |
| 著者 | *添田 圭佑, 田中 博美 (米子工業高等専門学校 電気情報工学科), 玉井 博康 (鳥取県産業技術センター 機械素材研究所) |
| Page | p. 369 |
| Keyword | Bi系ウィスカー, 元素置換, 臨界電流密度, Ca/Sr置換 |
| Abstract | Bi系高温超伝導体はJcが他の超伝導体に比べ低いという欠点を持っている。そこで本研究では、針状単結晶であるBi系ウィスカーに着目した。Bi系ウィスカーでは、Ca2+イオンのSr2+イオンへの置換とJcが強い相関関係であるという事が明らかとなっている。この置換を促進させるため、元素置換という手法をとった。具体的には、ガラス急冷体組成におけるSrを変化させることでCa/Sr置換を促進させた。従来では、Ca/Sr置換量の最大値は25%である。この値よりも増大させ、Jcを向上させることを目的とした。結果は、ガラス急冷体組成においてSrを1とすることで、Ca/Sr置換量を従来より15%増大させることに成功した。また、Jcにおいても従来と比較して約1.6倍に向上した。 |
| 題名 | 磁場捕捉中心導入によるBi系高温超電導体の特性改善 |
| 著者 | *荒木 優一, 田中 博美 (米子工業高等専門学校), 武藤 浩行, 松田 厚範, 河村 剛 (豊橋技術科学大学), 玉井 博康 (鳥取県産業技術センター) |
| Page | p. 370 |
| Keyword | Bi系, 高温超伝導, 臨界電流密度, 異方性, 不純物添加 |
| Abstract | Bi2Sr2Can-1CunOy（n = 1〜3）高温超電導針状結晶（以降、Bi系ウィスカー）は高い臨界電流密度（Jc）を有していながら、そのJcに強い異方性を持つ。一般に、この強いJc異方性は応用の際に問題となる。そこで本研究では、Bi系ウィスカーにMg不純物の添加を施した。添加されたMg不純物を磁場捕捉中心（ピンニングセンター）としてさせることで、Jc異方性の改善が期待される。その結果、Mg不純物を添加していないBi系ウィスカーでは異方性パラメータγが13.8であるのに対し、Mg不純物を添加したBi系ウィスカーでは1.89と約1/7に改善された。従って、Mg不純物がBi系ウィスカーにおいてJc異方性の改善に有効なピンニングセンターとして機能することが明らかとなった。 |
| 題名 | YBCOテープ線材を用いた超伝導コイルの電流-電圧特性 |
| 著者 | *中野 俊彦, 原田 直幸, 諸橋 信一 (山口大学大学院) |
| Page | p. 371 |
| Keyword | 超伝導コイル, ＹＢＣＯテープ線材, 臨界電流 |
| 題名 | Alシースを用いたPIT法MgB2超伝導多芯線材の作製 |
| 著者 | *河田 直也, 原田 直幸, 諸橋 信一 (山口大学大学院), 三宮 大喜 (ジャパンファインスチール株式会社) |
| Page | p. 372 |
| Keyword | 超伝導線材, MgB2, PIT法 |
| Abstract | Al管をシース材として用いて、ex-situ PIT法により7芯のMgB2多芯線材を作製した。作製した多芯線材の内部構造を、X線CTを用いて観察した。また、SQUIDを用いた磁化測定装置により、磁化曲線を測定し、臨界状態モデルを用いて臨界電流密度を算出した。 |