| 題名 | 無方向性電磁鋼板の温度変化が磁歪特性に及ぼす影響 |
| 著者 | *芦田 強 (岡山大学大学院自然科学研究科 電子情報システム工学専攻), 笹山 瑛由, 中野 正典 (岡山大学大学院自然科学研究科 産業創成工学専攻 電気電子機能開発学講座), 谷本 親哉 (岡山大学工学部創造工学センター 電気通信系学科 電気電子コース), 高橋 則雄 (岡山大学大学院自然科学研究科 産業創成工学専攻 電気電子機能開発学講座) |
| Page | p. 112 |
| Keyword | 無方向性電磁鋼板, 磁歪, 高温 |
| Abstract | モータなどに用いられる鉄心材料の騒音の軽減を目的として，磁歪の研究が注目されている。モータなどの電磁鋼板は運転時に発生する熱により高温下で使用されている。しかし高温下での電磁鋼板の磁歪特性についての報告は少ないようである。 今回，モータなどに使用される無方向性電磁鋼板の，室温〜100℃におけるθ = 0°, 45°, 90°方向の磁歪の測定を行ったので報告する。 |
| 題名 | ソース-ドレインの正･逆接続によるランダムテレグラフノイズの変化 |
| 著者 | *藤本 敏充, 土屋 敏章 (島根大学) |
| Page | p. 113 |
| Keyword | MOSFET, RTN |
| Abstract | ゲート酸化膜中に存在するトラップがキャリアを捕獲，放出することによって生じるドレイン電流変化をRandom Telegraph Noise（RTN）といい，超微細MOSFETの信頼性上の問題となっている．今回，ソース-ドレインの接続方法により異なるRTN特性が得られたのでその原因を検討した結果を報告する． |
| 題名 | ゲートバイアスストレスによって発生するMOS界面トラップのバイアス電圧およびストレス時間依存性 |
| 著者 | *濱野 竜朗, 土屋 敏章 (島根大学) |
| Page | p. 114 |
| Keyword | 界面トラップ, ゲートバイアスストレス, エネルギー準位分布 |
| Abstract | MOS界面トラップを数個程度しか含まないナノスケールMOSFETを使用して，ゲートバイアスストレスによって界面トラップが発生する様子や，発生した界面トラップのエネルギー準位分布を評価したので報告する． |
| 題名 | ホットキャリアによるナノスケールpMOSトランジスタの特性劣化 |
| 著者 | *北川 謙輔, 土屋 敏章 (島根大学) |
| Page | p. 115 |
| Keyword | ホットキャリア, pMOS, ナノスケール |
| Abstract | ナノスケールpMOSFETにおけるホットキャリア効果による特性劣化の測定を行い，特性劣化の原因を検討した． |
| 題名 | GaSbAs多結晶膜の結晶性と電気的特性の膜厚依存性 |
| 著者 | *松井 良記 (島根大学大学院), 梶川 靖友 (島根大学) |
| Page | pp. 116 - 117 |
| Keyword | GaSbAs多結晶, 多結晶膜, 膜厚, GaSbAs, p型 |
| Abstract | 以前の我々の研究で，膜厚1μmのGaSbAs多結晶をガラス基板およびプラスチック基板上に300℃で堆積したところ，Si多結晶並みである移動度28cm2/Vsと高いp型材料であると分かった。これはGaSbAs多結晶が薄膜トランジスタ(TFT)用材料として有望だと示している。しかしTFT用材料として使用するにはさらに膜厚を薄くしなければならない。そこで今回，膜厚1.0μmより薄いGaSb0.8As0.2多結晶を分子線蒸着法で堆積し，XRD測定およびHall効果測定を行い，膜厚依存性を調べた。 |